Disco Sólido Samsung 1tb 990 Pro Pcie 4.0 X4 M.2 - Mz-v9p1t0b/am

Información del producto

Samsung 1TB 990 PRO PCIe 4.0 x4 M.2 Unidad Interna SSD - MZ-V9P1T0B/AMConstruido con su tecnología flash MLC de 3 bits V-NAND y su controlador interno, el SSD interno Samsung 1TB 990 PRO PCIe 4.0 x4 M.2 ofrece un factor de forma M.2 2280 y una interfaz PCIe 4.0 x4/NVMe 2.0 para ofrecer velocidades de lectura secuencial de hasta 7450 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 6900 MB/s. Los usuarios también tendrán acceso al cifrado a través de TCG/Opal 2.0 y MS eDrive, mientras que una clasificación TBW (total de bytes escritos) de 600 TB ayuda a garantizar una larga vida operativa.Velocidad máximaObtenga velocidades de lectura secuencial de hasta 7450 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 6900 MB/s con el 990 PRO y supere los límites de lo que pueden hacer los SSD. El 990 PRO funciona con el controlador propio de Samsung, que está diseñado para armonizar los componentes de la memoria flash y la interfaz para mejorar la velocidad, con una interfaz PCIe 4.0 que es hasta dos veces más rápida que los SSD PCIe 3.0, por lo que cada componente de este SSD NVMe 2.0 está fabricado por Samsung para un rendimiento duradero.Rendimiento energéticamente eficienteUtilice menos energía y obtenga más rendimiento. Disfrute de un rendimiento mejorado por vatio, además de una eficiencia energética óptima con el máximo rendimiento PCIe 4.0.El creador de campeonesUna mejora de más del 55 % en el rendimiento aleatorio permite cargas más rápidas para una experiencia de juego definitiva en juegos de PS5 y DirectStorage para PC.SSD M.2 eficienteEl 990 PRO viene en un formato compacto M.2 2280, que se puede instalar fácilmente en computadoras de escritorio y portátiles. Debido a su tamaño y eficiencia energética optimizada, es ideal para construir computadoras de alto rendimiento.Solución térmica inteligenteEl controlador de gama alta recubierto de níquel de Samsung ofrece un control térmico eficaz y evita caídas repentinas de rendimiento por sobrecalentamiento.Capacidad de almacenamiento de 1 TBFactor de forma M.2 2280Interfaz PCIe 4.0 x4/NVMe 2.0Lecturas secuenciales de hasta 7450 MB/sEscrituras secuenciales de hasta 6900 MB/sHasta 600 TB TBW (bytes totales escritos)Tecnología flash V-NAND de SamsungCifrado AES de 256 bitsMarca: SamsungPN: MZ-V9P1T0B/AM